номер части : IPB180N04S4L01ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO263-7
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 245nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 19100pF @ 25V
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 188W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7-3
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Состояние : Новый и оригинальный
Гарантия качества : 365 дней гарантии
Фондовый ресурс : Франчайзинговый дистрибьютор / Производитель Direct
Страна происхождения : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI