TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Номер детали производителя

TPN1110ENH,L1Q

Внутренний номер детали

AX-TPN1110ENH,L1Q

производитель

Toshiba Semiconductor and Storage

Краткое описание

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

RoHS Статус

Бессвинцовый / Соответствует RoHS

Срок поставки

1-2 дня

Доступное количество

755665 Pieces

Справочная цена

~~USD 0.37128~~

Наша цена

- (Пожалуйста, свяжитесь с нами для лучшей цены: [email protected])

У AX Semiconductor есть TPN1110ENH,L1Q в наличии для продажи. Мы можем отправить вам в течение 1-2 дней. Пожалуйста, свяжитесь с нами для лучшей цены на TPN1110ENH,L1Q. Наш электронный адрес: [email protected]

Варианты доставки и время доставки:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Варианты оплаты:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Спецификации для TPN1110ENH,L1Q

Гарантия качества : 365 дней гарантии

Фондовый ресурс : Франчайзинговый дистрибьютор / Производитель Direct

Страна происхождения : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

номер части : TPN1110ENH,L1Q

производитель : Toshiba Semiconductor and Storage

Описание : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Серии : U-MOSVIII-H

Состояние детали : Active

Тип FET : N-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.2A (Ta)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (Макс) : ±20V

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 600pF @ 100V

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700mW (Ta), 39W (Tc)

Рабочая Температура : 150°C (TJ)

Тип монтажа : Surface Mount

Комплект поставки устройства : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вес : -

Состояние : Новый и оригинальный

Ссылки по теме : TPN1 , TPN1110

Документы для TPN1110ENH,L1Q

Листки : TPN1110ENH,L1Q.pdf

Сопутствующие товары для TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	марка	Описание
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.