TPH2900ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Номер детали производителя

TPH2900ENH,L1Q

Внутренний номер детали

AX-TPH2900ENH,L1Q

производитель

Toshiba Semiconductor and Storage

Краткое описание

MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

RoHS Статус

Бессвинцовый / Соответствует RoHS

Срок поставки

1-2 дня

Доступное количество

440630 Pieces

Справочная цена

~~USD 0.63672~~

Наша цена

- (Пожалуйста, свяжитесь с нами для лучшей цены: [email protected])

У AX Semiconductor есть TPH2900ENH,L1Q в наличии для продажи. Мы можем отправить вам в течение 1-2 дней. Пожалуйста, свяжитесь с нами для лучшей цены на TPH2900ENH,L1Q. Наш электронный адрес: [email protected]

Варианты доставки и время доставки:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Варианты оплаты:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Спецификации для TPH2900ENH,L1Q

Гарантия качества : 365 дней гарантии

Фондовый ресурс : Франчайзинговый дистрибьютор / Производитель Direct

Страна происхождения : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

номер части : TPH2900ENH,L1Q

производитель : Toshiba Semiconductor and Storage

Описание : MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Серии : U-MOSVIII-H

Состояние детали : Active

Тип FET : N-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 33A (Ta)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Макс) : ±20V

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2200pF @ 100V

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : 78W (Tc)

Рабочая Температура : 150°C (TJ)

Тип монтажа : Surface Mount

Комплект поставки устройства : 8-SOP Advance (5x5)

Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вес : -

Состояние : Новый и оригинальный

Ссылки по теме : TPH2 , TPH2900

Документы для TPH2900ENH,L1Q

Листки : TPH2900ENH,L1Q.pdf

Сопутствующие товары для TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	марка	Описание
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 18KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WF095187WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.